| CY7C1312KV18-300BZXI | |
|---|---|
| 型號 | CY7C1312KV18-300BZXI |
| 製造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| 現貨庫存 | 2638 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | 1.CY7C1312KV18-300BZXI.pdf2.CY7C1312KV18-300BZXI.pdf3.CY7C1312KV18-300BZXI.pdf4.CY7C1312KV18-300BZXI.pdf5.CY7C1312KV18-300BZXI.pdf6.CY7C1312KV18-300BZXI.pdf |
| CY7C1312KV18-300BZXI Price |
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| CY7C1312KV18-300BZXI 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | CY7C1312KV18-300BZXI | 產品分類 | 集成電路（IC） |
| 製造商 | Cypress Semiconductor | 描述 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| 封裝 | 165-FBGA (13x15) | 現貨庫存 | 2638 pcs |
| 寫週期時間 - 字，頁 | - | 電壓 - 電源 | 1.7V ~ 1.9V |
| 技術 | SRAM - Synchronous, QDR II | 供應商設備封裝 | 165-FBGA (13x15) |
| 系列 | - | 封裝/箱體 | 165-LBGA |
| 包裹 | Tray | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 內存類型 | Volatile |
| 內存大小 | 18Mbit | 內存組織 | 1M x 18 |
| 內存接口 | Parallel | 內存格式 | SRAM |
| 時鐘頻率 | 300 MHz | 基本產品編號 | CY7C1312 |
| 下載中心 | CY7C1312KV18-300BZXI PDF - EN.pdf | ||
廠商產品編號
CY7C1312KV18-300BZXI
描述
高性能、低功耗的18Mbit四倍資料速率（QDR）II靜態隨機存取記憶體（SRAM），具備平行介面
產品包裝
托盤包裝
165-LBGA封裝（13x15 mm）
表面貼裝包裝
工作溫度範圍：-40°C至85°C
為何選擇此產品？
高速同步SRAM，適用於需求高的應用
低功耗，節能高效設計
寬工作溫度範圍，適用於工業及惡劣環境應用
主要特性
18Mbit記憶體容量
1M x 18記憶體組織
300 MHz時鐘頻率的平行介面
支持四倍資料速率（QDR）II協議
7V至1.9V的工作電壓範圍
產品相容性
適用於各式需要高性能、低功耗同步SRAM的應用
主要優勢
高速、低功耗的SRAM解決方案
具備高時鐘頻率的平行介面，實現快速數據吞吐量
寬工作溫度範圍，適合工業及惡劣環境使用
緊湊的165-LBGA封裝，適合空間有限的設計
產品生命週期
本產品目前處於最後訂購階段
可能有對應或替代型號，請聯繫我們的銷售團隊以獲取更多信息
主要應用領域
網路與電信設備
軍事與航空系統
工業控制與自動化
醫療設備
高性能計算與數據中心
立即行動
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給我們發電子郵件：Info@Ariat-Tech.com或RFQ CY7C1312KV18-300BZXI Online。
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