| SQ2318AES-T1_GE3 | |
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| 型號 | SQ2318AES-T1_GE3 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 |
| 現貨庫存 | 3102 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | SQ2318AES-T1_GE3.pdf |
| SQ2318AES-T1_GE3 Price |
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| SQ2318AES-T1_GE3 的技術信息 | |||
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| 品牌型號名稱 | SQ2318AES-T1_GE3 | 產品分類 | |
| 製造商 | Vishay / Siliconix | 描述 | MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 |
| 封裝 | SOT-23-3 (TO-236) | 現貨庫存 | 3102 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 31mOhm @ 7.9A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 3W (Tc) | 封裝/箱體 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) | 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 555 pF @ 10 V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 4.5V, 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 40 V | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 8A (Tc) |
| 基本產品編號 | SQ2318 | ||
| 下載中心 | SQ2318AES-T1_GE3 PDF - EN.pdf | ||
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