SIR470DP-T1-GE3
型號 SIR470DP-T1-GE3
製造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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SIR470DP-T1-GE3 的技術信息
品牌型號名稱 SIR470DP-T1-GE3 產品分類  
製造商 Vishay / Siliconix 描述 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
封裝 PowerPAK® SO-8 現貨庫存 31246 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 2.5V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 PowerPAK® SO-8
系列 TrenchFET® RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 2.3mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 封裝/箱體 PowerPAK® SO-8
包裹 Tape & Reel (TR) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 5660 pF @ 20 V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 155 nC @ 10 V FET型 N-Channel
FET特點 - 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss) 40 V 電流 - 25°C連續排水(Id) 60A (Tc)
基本產品編號 SIR470  
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