| SIHG33N60E-GE3 | |
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| 型號 | SIHG33N60E-GE3 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| 現貨庫存 | 3059 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | 1.SIHG33N60E-GE3.pdf2.SIHG33N60E-GE3.pdf3.SIHG33N60E-GE3.pdf |
| SIHG33N60E-GE3 Price |
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| SIHG33N60E-GE3 的技術信息 | |||
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| 品牌型號名稱 | SIHG33N60E-GE3 | 產品分類 | |
| 製造商 | Vishay / Siliconix | 描述 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| 封裝 | TO-247AC | 現貨庫存 | 3059 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 4V @ 250µA | Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | TO-247AC |
| 系列 | - | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 278W (Tc) | 封裝/箱體 | TO-247-3 |
| 包裹 | Tube | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole | 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 3508 pF @ 100 V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 150 nC @ 10 V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600 V | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 33A (Tc) |
| 基本產品編號 | SIHG33 | ||
| 下載中心 | SIHG33N60E-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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