| SI7858BDP-T1-GE3 | |
|---|---|
| 型號 | SI7858BDP-T1-GE3 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
| 現貨庫存 | 1500 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | 1.SI7858BDP-T1-GE3.pdf2.SI7858BDP-T1-GE3.pdf3.SI7858BDP-T1-GE3.pdf4.SI7858BDP-T1-GE3.pdf |
| SI7858BDP-T1-GE3 Price |
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| SI7858BDP-T1-GE3 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | SI7858BDP-T1-GE3 | 產品分類 | |
| 製造商 | Vishay / Siliconix | 描述 | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
| 封裝 | PowerPAK® SO-8 | 現貨庫存 | 1500 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 1V @ 250µA | Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | PowerPAK® SO-8 |
| 系列 | TrenchFET® | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 2.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| 功率耗散（最大） | 5W (Ta), 48W (Tc) | 封裝/箱體 | PowerPAK® SO-8 |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 5760 pF @ 6 V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 84 nC @ 4.5 V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 1.8V, 4.5V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 12 V | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 40A (Tc) |
| 基本產品編號 | SI7858 | ||
| 下載中心 | SI7858BDP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SI7858BDP-T1-GE3數據表 | 下載SI7858BDP-T1-GE3數據表 | 製片人Vishay / Siliconix | |||
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| 圖片 | 型號 | 描述 | 製造商 | 獲取報價 | |
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SI7858ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7860ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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