SI7460DP-T1-E3
型號 SI7460DP-T1-E3
製造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
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SI7460DP-T1-E3 的技術信息
品牌型號名稱 SI7460DP-T1-E3 產品分類  
製造商 Vishay / Siliconix 描述 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
封裝 PowerPAK® SO-8 現貨庫存 7442 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 3V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 PowerPAK® SO-8
系列 TrenchFET® RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 9.6mOhm @ 18A, 10V
功率耗散(最大) 1.9W (Ta) 封裝/箱體 PowerPAK® SO-8
包裹 Tape & Reel (TR) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 100 nC @ 10 V
FET型 N-Channel FET特點 -
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 4.5V, 10V 漏極至源極電壓(Vdss) 60 V
電流 - 25°C連續排水(Id) 11A (Ta) 基本產品編號 SI7460
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