SI3905DV-T1-GE3
型號 SI3905DV-T1-GE3
製造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
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SI3905DV-T1-GE3 的技術信息
品牌型號名稱 SI3905DV-T1-GE3 產品分類  
製造商 Vishay / Siliconix 描述 MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
封裝 6-TSOP 現貨庫存 10477 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 450mV @ 250µA (Min) 技術 MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝 6-TSOP 系列 TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 125mOhm @ 2.5A, 4.5V 功率 - 最大 1.15W
封裝/箱體 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 包裹 Tape & Reel (TR)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds - 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 6nC @ 4.5V
FET特點 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 8V
電流 - 25°C連續排水(Id) - 組態 2 P-Channel (Dual)
基本產品編號 SI3905  
下載中心SI3905DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf
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