SI2308BDS-T1-E3
型號 SI2308BDS-T1-E3
製造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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SI2308BDS-T1-E3 的技術信息
品牌型號名稱 SI2308BDS-T1-E3 產品分類  
製造商 Vishay / Siliconix 描述 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
封裝 SOT-23-3 (TO-236) 現貨庫存 14000 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 3V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
系列 TrenchFET® RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 156mOhm @ 1.9A, 10V
功率耗散(最大) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) 封裝/箱體 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包裹 Tape & Reel (TR) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 190 pF @ 30 V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 6.8 nC @ 10 V FET型 N-Channel
FET特點 - 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss) 60 V 電流 - 25°C連續排水(Id) 2.3A (Tc)
基本產品編號 SI2308  
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