IRF630PBF 的技術信息 |
品牌型號名稱 |
IRF630PBF |
產品分類 |
|
製造商 |
Vishay / Siliconix |
描述 |
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
封裝 |
TO-220AB |
現貨庫存 |
5557 pcs |
VGS(TH)(最大)@標識 |
4V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 |
TO-220AB |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
400mOhm @ 5.4A, 10V |
功率耗散(最大) |
74W (Tc) |
封裝/箱體 |
TO-220-3 |
包裹 |
Tube |
工作溫度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Through Hole |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds |
800 pF @ 25 V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
43 nC @ 10 V |
FET型 |
N-Channel |
FET特點 |
- |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) |
10V |
漏極至源極電壓(Vdss) |
200 V |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
9A (Tc) |
基本產品編號 |
IRF630 | | |
下載中心 | IRF630PBF PDF - EN.pdf |
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