| TP65H070LDG | |
|---|---|
| 型號 | TP65H070LDG |
| 製造商 | Transphorm |
| 描述 | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN |
| 現貨庫存 | 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | |
| TP65H070LDG Price |
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| TP65H070LDG 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | TP65H070LDG | 產品分類 | 分立半導體產品 |
| 製造商 | Transphorm | 描述 | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN |
| 封裝 | 3-PQFN (8x8) | 現貨庫存 | Available Stock |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 4.8V @ 700µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | 供應商設備封裝 | 3-PQFN (8x8) |
| 系列 | TP65H070L | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 85mOhm @ 16A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 96W (Tc) | 封裝/箱體 | 3-PowerDFN |
| 包裹 | Tube | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 600 pF @ 400 V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 650 V | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 25A (Tc) |
| 基本產品編號 | TP65H070 |
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