| TC58NVG2S0HBAI6 | |
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| 型號 | TC58NVG2S0HBAI6 |
| 製造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA |
| 現貨庫存 | 2841 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | TC58NVG2S0HBAI6.pdf |
| TC58NVG2S0HBAI6 Price |
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| TC58NVG2S0HBAI6 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | TC58NVG2S0HBAI6 | 產品分類 | 集成電路（IC） |
| 製造商 | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | 描述 | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA |
| 封裝 | Tray | 現貨庫存 | 2841 pcs |
| 電壓 - 電源 | 2.7 V ~ 3.6 V | 供應商設備封裝 | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 速度 | 25ns | 系列 | - |
| 封装 | Tray | 封裝/箱體 | 67-VFBGA |
| 工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) | 內存類型 | Non-Volatile |
| 內存大小 | 4Gb (512M x 8) | 內存格式 | EEPROM |
| 接口 | Parallel | ||
| 下載中心 | TC58NVG2S0HBAI6 PDF - EN.pdf | ||
廠商產品編號
TC58NVG2S0HBAI6
描述
高密度、高速NAND快閃記憶體，容量4Gbit，並行介面
產品包裝
托盤包裝
表面安裝67-VFBGA封裝
包裝尺寸：6.5mm x 8mm
操作電壓：2.7V至3.6V
工作溫度：-40°C至85°C
為何選擇此產品？
可靠且高效能的NAND快閃記憶體
非常適合各種需要非揮發性儲存的應用
主要特性
4Gbit NAND快閃記憶體
並行介面
快速存取時間為25ns
長耐久寫入循環
產品相容性
與各類需要非揮發性儲存的嵌入式系統和設備兼容
主要優勢
高儲存容量
快速數據存取和傳輸速度
廣泛的工作溫度範圍
堅固可靠的性能
產品生命週期
此產品目前在售，客戶建議與我們的銷售團隊確認產品可用性或潛在的替代型號的最新資訊。
主要應用領域
嵌入式系統
工業自動化
消費電子
汽車電子
立即行動
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| TC58NVG2S0HBAI6圖片 | TC58NVG2S0HBAI6圖片 | TC58NVG2S0HBAI6 PDF |
| TC58NVG2S0HBAI6數據表 | 下載TC58NVG2S0HBAI6數據表 | 製片人TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
