IPG20N06S4L11ATMA1
型號 IPG20N06S4L11ATMA1
製造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
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ECAD模型
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IPG20N06S4L11ATMA1 的技術信息
品牌型號名稱 IPG20N06S4L11ATMA1 產品分類  
製造商 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
封裝 PG-TDSON-8-4 現貨庫存 10913 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 2.2V @ 28µA 技術 MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝 PG-TDSON-8-4 系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 11.2mOhm @ 17A, 10V 功率 - 最大 65W
封裝/箱體 8-PowerVDFN 包裹 Tape & Reel (TR)
工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 4020pF @ 25V 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 53nC @ 10V
FET特點 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 60V
電流 - 25°C連續排水(Id) 20A 組態 2 N-Channel (Dual)
基本產品編號 IPG20N  
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