| IPB60R600C6ATMA1 | |
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| 型號 | IPB60R600C6ATMA1 |
| 製造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| 現貨庫存 | 2618 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | 1.IPB60R600C6ATMA1.pdf2.IPB60R600C6ATMA1.pdf3.IPB60R600C6ATMA1.pdf |
| IPB60R600C6ATMA1 Price |
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| IPB60R600C6ATMA1 的技術信息 | |||
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| 品牌型號名稱 | IPB60R600C6ATMA1 | 產品分類 | |
| 製造商 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| 封裝 | PG-TO263-3 | 現貨庫存 | 2618 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 3.5V @ 200µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | PG-TO263-3 |
| 系列 | CoolMOS™ C6 | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 63W (Tc) | 封裝/箱體 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 440 pF @ 100 V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 20.5 nC @ 10 V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600 V | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 7.3A (Tc) |
| 基本產品編號 | IPB60R | ||
| 下載中心 | IPB60R600C6ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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