| SQ4532AEY-T1_GE3 | |
|---|---|
| 型號 | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| 現貨庫存 | 2003 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | SQ4532AEY-T1_GE3.pdf |
| SQ4532AEY-T1_GE3 Price |
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| SQ4532AEY-T1_GE3 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | SQ4532AEY-T1_GE3 | 產品分類 | |
| 製造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| 封裝 | 8-SOIC | 現貨庫存 | 2003 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 2.5V @ 250µA | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝 | 8-SOIC | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V | 功率 - 最大 | 3.3W |
| 封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 包裹 | Tape & Reel (TR) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 安裝類型 | Surface Mount |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V | 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| FET特點 | - | 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25°C連續排水（Id） | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) | 組態 | N and P-Channel |
| 基本產品編號 | SQ4532 | ||
| 下載中心 | SQ4532AEY-T1_GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SQ4532AEY-T1_GE3數據表 | 下載SQ4532AEY-T1_GE3數據表 | 製片人Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| SQ4532AEY-T1_GE3 的相關型號 | |||||
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| 圖片 | 型號 | 描述 | 製造商 | 獲取報價 | |
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SQ4532AEY-T1_BE3 | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC | Vishay Siliconix | ||
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