| SIS780DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| 型號 | SIS780DN-T1-GE3 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8 |
| 現貨庫存 | 18870 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | 1.SIS780DN-T1-GE3.pdf2.SIS780DN-T1-GE3.pdf |
| SIS780DN-T1-GE3 Price |
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| SIS780DN-T1-GE3 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | SIS780DN-T1-GE3 | 產品分類 | |
| 製造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 描述 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8 |
| 封裝 | PowerPAK® 1212-8 | 現貨庫存 | 18870 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 2.3V @ 250µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | PowerPAK® 1212-8 |
| 系列 | - | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 13.5mOhm @ 15A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 27.7W (Tc) | 封裝/箱體 | PowerPAK® 1212-8 |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 722 pF @ 15 V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 24.5 nC @ 10 V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | Schottky Diode (Body) | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 4.5V, 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30 V | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 18A (Tc) |
| 基本產品編號 | SIS780 | ||
| 下載中心 | SIS780DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SIS780DN-T1-GE3數據表 | 下載SIS780DN-T1-GE3數據表 | 製片人Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| SIS780DN-T1-GE3 的相關型號 | |||||
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| 圖片 | 型號 | 描述 | 製造商 | 獲取報價 | |
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SIS8132 | SIS QFP | SIS | ||
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SIS778DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS756 | SIS | |||
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SIS8205 | SIAI | |||
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SIS776DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS782DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS780DN-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
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SIS822DNT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS8208 | SIAI | |||
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SIS776DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SIS8205A | SIAI | |||
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