| SI7802DN-T1-E3 | |
|---|---|
| 型號 | SI7802DN-T1-E3 |
| 製造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
| 現貨庫存 | 2511 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | |
| SI7802DN-T1-E3 Price |
在線詢價 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI7802DN-T1-E3 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | SI7802DN-T1-E3 | 產品分類 | 分立半導體產品 |
| 製造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 描述 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
| 封裝 | Tape & Reel (TR) | 現貨庫存 | 2511 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 3.6V @ 250µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | PowerPAK® 1212-8 |
| 系列 | TrenchFET® | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 435 mOhm @ 1.95A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 1.5W (Ta) | 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體 | PowerPAK® 1212-8 | 其他名稱 | SI7802DN-T1-E3TR SI7802DNT1E3 |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 安裝類型 | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） | 1 (Unlimited) | 無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 21nC @ 10V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 6V, 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 250V | 詳細說明 | N-Channel 250V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| 電流 - 25°C連續排水（Id） | 1.24A (Ta) | ||
| 下載中心 | SI7802DN-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
給我們發電子郵件：Info@Ariat-Tech.com或RFQ SI7802DN-T1-E3 Online。
| SI7802DN-T1-E3股票 | SI7802DN-T1-E3價格 | SI7802DN-T1-E3電子 | |||
| SI7802DN-T1-E3組件 | SI7802DN-T1-E3庫存 | SI7802DN-T1-E3 Digikey | |||
| 供應商SI7802DN-T1-E3 | 在線訂購SI7802DN-T1-E3 | 查詢SI7802DN-T1-E3 | |||
| SI7802DN-T1-E3圖片 | SI7802DN-T1-E3圖片 | SI7802DN-T1-E3 PDF | |||
| SI7802DN-T1-E3數據表 | 下載SI7802DN-T1-E3數據表 | 製片人Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| SI7802DN-T1-E3 的相關型號 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 圖片 | 型號 | 描述 | 製造商 | 獲取報價 | |
 |
SI7802DN | SI7802DN SI | SI | ||
 |
SI7798DP-T1-GE3 | SI7798DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
 |
SI7794DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7792DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
Si7790DP-T1-E3 | Si7790DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
|
SI7804DN-TI-E3 | VISHAY | |||
 |
SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7804DN | SI7804DN SI | SI | ||
|
SI7804DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7806ADN | SI7806ADN SI | SI | ||
|
SI7804DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7790DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
|
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7800ADN | SI7800ADN SI | SI | ||
|
SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
新聞動態
更多
Microchip'sPolarfire®SOCFPGA已獲得AEC -Q100認證，確認其在惡劣的汽車條件下的可靠性，包括從-40°C到125°C的運行。它建立在64位四核RISC-V®架構上，支持Li...
PSOCTM 4000T是Infineon的第一個產品，該產品具有該公司第五代Capsense™技術和多強度功能。該傳感技術可以集成到單個PSOCTM 4 MCU中，以優化性能（例如，電容和...
一位汽車零件供應商主管透露，隨著汽車製造商選擇延長其內燃機（ICE）平台的壽命，北美市場的電動汽車開發已經停滯不前。 動力總成供應商GKN Automotive的母公司...
Infineon和Eatron將其AI電池管理系統（BMS）的合作擴展到工業和消費電子產品。基於Infineon的PSOC™微控制器，該合作夥伴關係將AI驅動的電池優化軟件與先進的電...
在半導體上，最近宣布了首個實時的間接飛行時間（ITOF）傳感器，超頻ID系列，該系列可以執行高精度的長距離測量和快速移動對象的三維成像。 HyperLux ID系列用於...
最新產品
更多
Bluetooth®Xpress模塊和開發平台Silicon Labs的Blue Gecko Xpress BGX13是一款無線Xpress模塊，專門設計用於盡可能簡單地將BLE添加到應用程序中 Silicon Labs的...
EFR32™Flex Gecko Sub-GHz和2.4 GHz專有無線入門套件 Silicon Labs的EFR32 Flex Gecko雙頻無線設備具有完...
用於Zentri AMW007-E03模塊的Wi-Fi開發套件 Silicon Lab的AMW007開發套件可幫助用戶快速評估和開發Wi-Fi應...
Si3404和Si3406x以太網供電（PoE）供電器件芯片 Silicon Labs的Si3404和Si3406x低成本高效率PoE芯片 Sili...
Si86xx數字隔離器系列 Silicon Labs的數字隔離器可支持高達5 kV的增強額定值，以及單向和雙向隔離 Silico...