SI4564DY-T1-GE3 | |
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型號 | SI4564DY-T1-GE3 |
製造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 | MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC |
現貨庫存 | 3098 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
ECAD模型 | |
文檔 | SI4564DY-T1-GE3.pdf |
SI4564DY-T1-GE3 Price |
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SI4564DY-T1-GE3 的技術信息 | |||
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品牌型號名稱 | SI4564DY-T1-GE3 | 產品分類 | 分立半導體產品 |
製造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 描述 | MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC |
封裝 | Tape & Reel (TR) | 現貨庫存 | 3098 pcs |
VGS(TH)(最大)@標識 | 2V @ 250µA | 供應商設備封裝 | 8-SO |
系列 | TrenchFET® | RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 17.5 mOhm @ 8A, 10V |
功率 - 最大 | 3.1W, 3.2W | 封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 其他名稱 | SI4564DY-T1-GE3TR SI4564DYT1GE3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) | 無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 855pF @ 20V | 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 31nC @ 10V |
FET型 | N and P-Channel | FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 40V | 詳細說明 | Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 10A, 9.2A | 基礎部件號 | SI4564 |
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SI4564DY-T1-GE3 的相關型號 | |||||
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圖片 | 型號 | 描述 | 製造商 | 獲取報價 | |
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SI4565ADY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC | Vishay Siliconix | ||
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SI4563DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC | Vishay Siliconix | ||
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SI4563DY | SI4563DY SI | SI | ||
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SI4564DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC | Vishay Siliconix | ||
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SI4565ADY-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC | Vishay Siliconix | ||
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SI4563DY-T1-E3 MOS | VBSEMI SOIC-8 | VBSEMI | ||
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SI4565ADY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4563DY-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4564DY-T1-E3 | SI4564DY-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI4563DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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