S29GL512T12TFN010
型號 S29GL512T12TFN010
製造商 Infineon Technologies
描述 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
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ECAD模型
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S29GL512T12TFN010 的技術信息
品牌型號名稱 S29GL512T12TFN010 產品分類 集成電路(IC)
製造商 Cypress Semiconductor 描述 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
封裝 56-TSOP 現貨庫存 2612 pcs
寫週期時間 - 字,頁 60ns 電壓 - 電源 2.7V ~ 3.6V
技術 FLASH - NOR 供應商設備封裝 56-TSOP
系列 GL-T 封裝/箱體 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width)
包裹 Tray 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型 Surface Mount 內存類型 Non-Volatile
內存大小 512Mbit 內存組織 64M x 8
內存接口 Parallel 內存格式 FLASH
基本產品編號 S29GL512 訪問時間 120 ns
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廠商產品編號

S29GL512T12TFN010

描述

S29GL512T12TFN010 是英飛凌科技推出的一款高密度、高性能的 NOR 快閃記憶體晶片。該晶片擁有 512Mbit 的儲存容量,組織為 64M x 8 位元,並配備平行記憶體介面。此快閃記憶體適用於需要非揮發性數據存儲的廣泛應用,如嵌入式系統、工業自動化和消費電子產品。

產品包裝

S29GL512T12TFN010 包裝於 56-TFSOP (0.724 英寸,18.40 毫米寬) 表面安裝封裝,配有 56-TSOP 供應商設備包裝。此包裝為板級整合提供緊湊且高效的解決方案,具備適用於多種工作環境的熱和電氣性能。

為何選擇此產品?

S29GL512T12TFN010 具備高儲存容量、快速存取時間及廣泛操作溫度範圍,成為要求可靠非揮發性記憶體的高需求應用的優選。其表面安裝封裝與平行介面確保可輕鬆整合進多種電路設計。

主要特性

512Mbit 儲存容量

64M x 8 位元記憶體組織

平行記憶體介面

120ns 存取時間

60ns 字/頁寫入週期時間

7V 至 3.6V 操作電壓

-40°C 至 125°C 操作溫度範圍

表面安裝 56-TFSOP 封裝

產品相容性

S29GL512T12TFN010 可直接替換多種 NOR 快閃記憶體晶片,並與多種嵌入式系統和工業控制器兼容。

主要優勢

提供複雜應用所需的高儲存容量

提供快速的存取和寫入時間,實現靈活性能

寬廣的操作溫度範圍,可在苛刻環境中使用

緊湊的表面安裝封裝,便於高效的板級整合

產品生命週期

S29GL512T12TFN010 是一款活躍並持續生產的產品,無計劃停產。英飛凌還提供若干等效及替代型號,具體取決於您的需求。如需協助選擇合適的產品,請透過我們的網站聯繫銷售團隊。

主要應用領域

嵌入式系統

工業自動化及控制

消費電子產品

汽車電子

通訊設備

立即行動

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S29GL512T12TFN010是新的和原裝庫存,在Ariat-Tech .com在線查找S29GL512T12TFN010電子元件庫存,數據表,庫存和價格,訂購S29GL512T12TFN010 Infineon Technologies,Ariat Technology Limitd保證和信心。通過DHL / FedEx / UPS發貨。使用電匯或PayPal付款即可。
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