S29GL512T12TFN010 | |
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型號 | S29GL512T12TFN010 |
製造商 | Infineon Technologies |
描述 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP |
現貨庫存 | 2612 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
ECAD模型 | |
文檔 | 1.S29GL512T12TFN010.pdf2.S29GL512T12TFN010.pdf |
S29GL512T12TFN010 Price |
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S29GL512T12TFN010 的技術信息 | |||
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品牌型號名稱 | S29GL512T12TFN010 | 產品分類 | 集成電路(IC) |
製造商 | Cypress Semiconductor | 描述 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP |
封裝 | 56-TSOP | 現貨庫存 | 2612 pcs |
寫週期時間 - 字,頁 | 60ns | 電壓 - 電源 | 2.7V ~ 3.6V |
技術 | FLASH - NOR | 供應商設備封裝 | 56-TSOP |
系列 | GL-T | 封裝/箱體 | 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) |
包裹 | Tray | 工作溫度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
安裝類型 | Surface Mount | 內存類型 | Non-Volatile |
內存大小 | 512Mbit | 內存組織 | 64M x 8 |
內存接口 | Parallel | 內存格式 | FLASH |
基本產品編號 | S29GL512 | 訪問時間 | 120 ns |
下載中心 | S29GL512T12TFN010 PDF - EN.pdf |
S29GL512T12TFN010
S29GL512T12TFN010 是英飛凌科技推出的一款高密度、高性能的 NOR 快閃記憶體晶片。該晶片擁有 512Mbit 的儲存容量,組織為 64M x 8 位元,並配備平行記憶體介面。此快閃記憶體適用於需要非揮發性數據存儲的廣泛應用,如嵌入式系統、工業自動化和消費電子產品。
S29GL512T12TFN010 包裝於 56-TFSOP (0.724 英寸,18.40 毫米寬) 表面安裝封裝,配有 56-TSOP 供應商設備包裝。此包裝為板級整合提供緊湊且高效的解決方案,具備適用於多種工作環境的熱和電氣性能。
S29GL512T12TFN010 具備高儲存容量、快速存取時間及廣泛操作溫度範圍,成為要求可靠非揮發性記憶體的高需求應用的優選。其表面安裝封裝與平行介面確保可輕鬆整合進多種電路設計。
512Mbit 儲存容量
64M x 8 位元記憶體組織
平行記憶體介面
120ns 存取時間
60ns 字/頁寫入週期時間
7V 至 3.6V 操作電壓
-40°C 至 125°C 操作溫度範圍
表面安裝 56-TFSOP 封裝
S29GL512T12TFN010 可直接替換多種 NOR 快閃記憶體晶片,並與多種嵌入式系統和工業控制器兼容。
提供複雜應用所需的高儲存容量
提供快速的存取和寫入時間,實現靈活性能
寬廣的操作溫度範圍,可在苛刻環境中使用
緊湊的表面安裝封裝,便於高效的板級整合
S29GL512T12TFN010 是一款活躍並持續生產的產品,無計劃停產。英飛凌還提供若干等效及替代型號,具體取決於您的需求。如需協助選擇合適的產品,請透過我們的網站聯繫銷售團隊。
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S29GL512T12TFN010數據表 | 下載S29GL512T12TFN010數據表 | 製片人Cypress Semiconductor |