| N01S830HAT22IT | |
|---|---|
| 型號 | N01S830HAT22IT |
| 製造商 | onsemi |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
| 現貨庫存 | 2680 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | 1.N01S830HAT22IT.pdf2.N01S830HAT22IT.pdf3.N01S830HAT22IT.pdf4.N01S830HAT22IT.pdf5.N01S830HAT22IT.pdf6.N01S830HAT22IT.pdf |
| N01S830HAT22IT Price |
在線詢價 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| N01S830HAT22IT 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | N01S830HAT22IT | 產品分類 | 集成電路（IC） |
| 製造商 | onsemi | 描述 | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
| 封裝 | 8-TSSOP | 現貨庫存 | 2680 pcs |
| 寫週期時間 - 字，頁 | - | 電壓 - 電源 | 2.5V ~ 5.5V |
| 技術 | SRAM | 供應商設備封裝 | 8-TSSOP |
| 系列 | - | 封裝/箱體 | 8-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 內存類型 | Volatile |
| 內存大小 | 1Mbit | 內存組織 | 128K x 8 |
| 內存接口 | SPI | 內存格式 | SRAM |
| 時鐘頻率 | 20 MHz | 基本產品編號 | N01S830 |
| 下載中心 | N01S830HAT22IT PDF - EN.pdf | ||
廠商產品編號
N01S830HAT22IT
描述
高效能的 1Mbit SRAM 記憶體，具備 SPI 介面，工作電壓範圍為 2.5V 至 5.5V，操作溫度範圍為 -40°C 至 85°C。提供 128K x 8 位組織，包裝為緊湊的 8-TSSOP 封裝。
產品包裝
貼帶和捲軸
表面安裝
8-TSSOP（0.173 英吋，4.40mm 寬度）包裝
為何選擇此產品？
高效能和可靠的 SRAM 記憶體解決方案
寬廣的工作電壓和溫度範圍，適用於多樣化的應用
緊湊的 8-TSSOP 包裝節省寶貴的電路板空間
SPI 介面，便於系統整合
主要特性
1Mbit SRAM 記憶體
128K x 8 位組織
SPI 介面
20MHz 頻率
5V 至 5.5V 工作電壓
-40°C 至 85°C 工作溫度範圍
產品相容性
本產品兼容於各種需要高效能和可靠 SRAM 記憶體的電子系統和設備。
主要優勢
高效能和可靠的 SRAM 記憶體
寬廣的工作電壓和溫度範圍
緊湊的 8-TSSOP 包裝
容易集成的 SPI 介面
產品生命週期
N01S830HAT22IT 為現行產品
可能有等效或替代型號；欲知更多資訊，請透過我們的網站聯繫銷售團隊
主要應用領域
工業設備
汽車電子
電信設備
消費電子
立即行動
建議客戶從我們的網站索取報價。立即獲取報價或了解更多關於此產品的信息！
給我們發電子郵件：Info@Ariat-Tech.com或RFQ N01S830HAT22IT Online。
| N01S830HAT22IT股票 | N01S830HAT22IT價格 | N01S830HAT22IT電子 | |||
| N01S830HAT22IT組件 | N01S830HAT22IT庫存 | N01S830HAT22IT Digikey | |||
| 供應商N01S830HAT22IT | 在線訂購N01S830HAT22IT | 查詢N01S830HAT22IT | |||
| N01S830HAT22IT圖片 | N01S830HAT22IT圖片 | N01S830HAT22IT PDF | |||
| N01S830HAT22IT數據表 | 下載N01S830HAT22IT數據表 | 製片人 | |||
| N01S830HAT22IT 的相關型號 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 圖片 | 型號 | 描述 | 製造商 | 獲取報價 | |
 |
N01L83W2AN5I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I | onsemi | ||
 |
N01L63W3AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | AMI Semiconductor Inc. | ||
 |
N01S830HAT22I | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
 |
N01L63W2AB25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA | onsemi | ||
 |
N01N695E | THERMISTOR NTC | Vishay Dale | ||
 |
N01S830BAT22I | IC SRAM 1MBIT 20MHZ 8TSSOP | N/A | ||
|
N01N636E | THERMISTOR NTC | Vishay Dale | ||
|
N01S818HAT22I | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
|
N01L63W3AB25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA | onsemi | ||
|
N01S818HAT22IT | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
 |
N01L83W2AT25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | onsemi | ||
 |
N01L83W2AT25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | AMI Semiconductor Inc. | ||
|
N01S830BAT22I | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
|
N01L83W2AN25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I | onsemi | ||
 |
N01L63W3AT25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | onsemi | ||
|
N01L63W2AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | onsemi | ||
|
N01L63W3AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | onsemi | ||
|
N01L83W2AN25IT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I | onsemi | ||
|
N01L83W2AT25I | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | onsemi | ||
|
N01S830BAT22IT | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | onsemi | ||
新聞動態
更多
Microchip'sPolarfire®SOCFPGA已獲得AEC -Q100認證，確認其在惡劣的汽車條件下的可靠性，包括從-40°C到125°C的運行。它建立在64位四核RISC-V®架構上，支持Li...
PSOCTM 4000T是Infineon的第一個產品，該產品具有該公司第五代Capsense™技術和多強度功能。該傳感技術可以集成到單個PSOCTM 4 MCU中，以優化性能（例如，電容和...
一位汽車零件供應商主管透露，隨著汽車製造商選擇延長其內燃機（ICE）平台的壽命，北美市場的電動汽車開發已經停滯不前。 動力總成供應商GKN Automotive的母公司...
Infineon和Eatron將其AI電池管理系統（BMS）的合作擴展到工業和消費電子產品。基於Infineon的PSOC™微控制器，該合作夥伴關係將AI驅動的電池優化軟件與先進的電...
在半導體上，最近宣布了首個實時的間接飛行時間（ITOF）傳感器，超頻ID系列，該系列可以執行高精度的長距離測量和快速移動對象的三維成像。 HyperLux ID系列用於...
最新產品
更多
PD30系列光電傳感器 Carlo Gavazzi的微型光電傳感器採用緊湊型封裝，性能卓越 Carlo Gavazzi PD30傳感器...
用於A111脈衝相干雷達的XC112 / XR112評估套件Acconeer的XC112和XR112評估套件，帶有扁平柔性電纜，最多可支持四個A111脈衝相干雷達傳感器 Acconeer的A111是一款...
MINAS A6系列伺服驅動器和電機 Panasonic的MINAS A6系列通過將負載影響降至最低來確保穩定運行 Panasonic...
UV LED驅動板 RayVio用於XE和XP1系列UV-C發射器的UV LED驅動板 RayVio的紫外（UV）LED驅動板允許多種用戶...
工業和擴展測試DDR SDRAM Insignis的DDR SDRAM器件由於其專有的擴展測試流程，可確保在升高的結溫下工作 ...