FQA11N90-F109 | |
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型號 | FQA11N90-F109 |
製造商 | onsemi |
描述 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN |
現貨庫存 | 2598 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
ECAD模型 | |
文檔 | 1.FQA11N90-F109.pdf2.FQA11N90-F109.pdf3.FQA11N90-F109.pdf4.FQA11N90-F109.pdf5.FQA11N90-F109.pdf6.FQA11N90-F109.pdf7.FQA11N90-F109.pdf8.FQA11N90-F109.pdf9.FQA11N90-F109.pdf10.FQA11N90-F109.pdf |
FQA11N90-F109 Price |
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FQA11N90-F109 的技術信息 | |||
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品牌型號名稱 | FQA11N90-F109 | 產品分類 | |
製造商 | onsemi | 描述 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN |
封裝 | TO-3PN | 現貨庫存 | 2598 pcs |
VGS(TH)(最大)@標識 | 5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | TO-3PN |
系列 | QFET® | RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 960mOhm @ 5.7A, 10V |
功率耗散(最大) | 300W (Tc) | 封裝/箱體 | TO-3P-3, SC-65-3 |
包裹 | Tube | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole | 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 3500 pF @ 25 V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 94 nC @ 10 V | FET型 | N-Channel |
FET特點 | - | 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 900 V | 電流 - 25°C連續排水(Id) | 11.4A (Tc) |
基本產品編號 | FQA11 | ||
下載中心 | FQA11N90-F109 PDF - EN.pdf |
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FQA11N90-F109 的相關型號 | |||||
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圖片 | 型號 | 描述 | 製造商 | 獲取報價 | |
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FQA10N80C | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | onsemi | ||
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FQA11N90C/FQA11N90 | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
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FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | onsemi | ||
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FQA11N40 | FQA11N40 FSC | FSC | ||
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FQA10N80C_F109 | FQA10N80C_F109 N/A | N/A | ||
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FQA10N80_F109 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | onsemi | ||
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FQA10N80C-F109 | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | onsemi | ||
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FQA11N90C-F109 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | onsemi | ||
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FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
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FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO3P | onsemi | ||
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FQA11N90 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
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FQA12N60 | MOSFET N-CH 600V 12A TO3P | onsemi | ||
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FQA11N90_F109 | FQA11N90_F109 N/A | N/A | ||
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FQA10N80C | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
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FQA12N20 | ||||
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FQA11N90 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P | onsemi | ||
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FQA11N90C_F109 | FQA11N90C_F109 N/A | N/A | ||
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FQA11N90F | ON TO-3PF | ON |
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