FDB6030L
型號 FDB6030L
製造商 onsemi
描述 MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
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ECAD模型
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FDB6030L 的技術信息
品牌型號名稱 FDB6030L 產品分類  
製造商 onsemi 描述 MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
封裝 D²PAK (TO-263) 現貨庫存 23059 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 3V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 D²PAK (TO-263)
系列 PowerTrench® RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 13mOhm @ 26A, 10V
功率耗散(最大) 52W (Tc) 封裝/箱體 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
包裹 Tape & Reel (TR) 工作溫度 -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 1250 pF @ 15 V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 18 nC @ 5 V FET型 N-Channel
FET特點 - 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss) 30 V 電流 - 25°C連續排水(Id) 48A (Ta)
基本產品編號 FDB603  
下載中心FDB6030L PDF - EN.pdf
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