Microwave Technology
- MicroWave Technology，Inc。是RF& amp;的領先製造商。微波分立半導體產品，GaAs和GaN RF功率放大器，低噪聲pHEMT器件，MMIC，無線放大器，混合模塊和連接器化微波放大器。
MicroWave Technology，Inc。（MwT）位於加利福尼亞州的矽谷，由技術負責人於1982年成立，在砷化鎵（GaAs）器件設計和製造方面擁有豐富經驗。該工廠佔地35,000平方英尺，主要資產包括GaAs半導體工廠和混合芯片及有線微波集成電路（HMIC）製造工廠。垂直製造和產品強度為MwT在微波元件市場提供了不凡的靈活性和機會。
MwT是美國領先的離散砷化鎵二極管和晶體管（FET，pHEMT和Gunn二極管）商業製造商。早期專注於器件可靠性的工作產生了專有的金屬化系統，這使得MwT的器件不受氫污染的影響，現在是高可靠性行業非常關注的一個項目。這些器件採用專有的外延材料和四分之一微米凹陷柵極工藝技術，可實現高線性度（1 W P-1 dB無線放大器中的+48 dBm IP3）和低相位噪聲（-125 dBc @ 100 KHz偏移，17.5 GHz DRO）設備，功率輸出範圍從10毫瓦到5瓦。這些器件以芯片或封裝形式出售，在無線基礎設施系統，工業射頻應用以及各種國防和空間電子設備的信息傳輸或接收中，廣泛用於10 MHz至40 GHz信號的放大。
通過利用MwT GaAs FET的低互調失真特性，該公司因其針對多載波和/或數字調製的高內部匹配模塊化表面貼裝發射和接收放大器模塊產品線而享有越來越高的聲譽（高線性度） ）無線基礎設施和軍事通信系統。主要應用是接收器前端和蜂窩，PCS和WLL基站以及軍事高可靠性通信中的驅動器或微微蜂窩輸出放大器。值得注意的新產品具有極低的輸入和輸出回波損耗，可在高度關鍵的高線性度功率放大器級聯中輕鬆實現增益插入。 MwT為內部和外部客戶提供高可靠性的薄膜電路處理能力。 MwT採用薄膜混合微電路結構，生產和銷售各種標準模塊化放大器產品至26 GHz。這些模塊也是MwT的構建元件，用於設計和製造標準以及用於國防和電信應用的定制連接器放大器。
MwT擁有多年為客戶創建專業設計的經驗，並擁有龐大的基於MwT設備的定制設計庫。 MwT使用其標準和定製版本的零件來生產專用放大器和板級產品。我們經驗豐富的經驗和業績記錄可以幫助您節省設計成本，時間和工程資源。示例包括低頻LNA，無線LNA增強放大器，集成構建模塊，高頻振盪器，評估板和測試夾具。
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