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探索APT10M11JVR：性能，包裝和替代方案
2025-03-30 139

APT10M11JVR是一種強大而高級的MOSFET，最初是由先進的電力技術開發的，現在是通過收購Microsemi通過Microchip技術開發的。該MOSFET使用特殊技術更有效地工作並更快地切換，這對於不同的高需求電子應用非常有用。

APT10M11JVR概述

這 APT10M11JVR 是最初由Advanced Power Technology開發的高性能N通道增強模式電源MOSFET，後來由Microsemi Corporation收購。 Microsemi本身隨後被Microchip Technology收購。該MOSFET利用高級PowerMOSV®技術，旨在最大程度地減少JFET效果，增加堆積密度並減少抵抗力，從而提高效率和更快的開關速度。

現在批量訂購，以確保庫存可用性並保持運行順利進行。

APT10M11JVR功能

• 電壓等級： 100V

• 當前評分： 144a

• 軟件包類型： ISOTOP SOT-227-4

• 切換特性：由於優化的門佈局，更快的開關速度

• 洩漏：較低的洩漏電流

• 可靠性： 100％雪崩測試

APT10M11JVR最大評分

象徵	範圍	APT10M11JVR	單元
V_DSS	排水源電壓	100	伏特
I_d	連續排水電流 @ t_c = 25°C	144	放大器
I_DM	脈衝排水電流①	576	放大器
V_GS	柵極源電壓連續	±30	伏特
V_GSM	柵極源電壓瞬變	±40	伏特
P_D	總功率耗散 @ t_c = 25°C	450	瓦特
P_D	線性衍生因子	3.6	瓦/攝氏度
T_j,T_STG	操作和存儲路口溫度範圍	-55至150	攝氏度
T_L	鉛溫度：0.063英寸的外殼 10秒。	300	攝氏度
I_AR	雪崩電流①（重複和非競爭）	144	放大器
E_AR	重複的雪崩能量①	50	MJ
E_AS	單脈衝雪崩能量④	2500	MJ

APT10M11JVR特徵

電特性

象徵	特徵 /測試條件	最小	typ	最大限度	單元
BV_DSS	排水系統故障電壓（V_GS = 0V,I_D =250μa）	100	-	-	伏特
我_{大學教師）}	在狀態排水電流上②（v_DS > I_D（on） ×r_DS（ON） Max, v_GS = 10V）	144	-	-	放大器
r_DS（ON）	排水源在州立電阻②（V_GS = 10V, 0.5 i_{D [Cont.]}）	-	-	0.011	歐姆
我_DSS	零門電壓排水電流（V_DS = v_DSS, v_GS = 0V）	-	-	250	μa
我_DSS	零門電壓排水電流（V_DS = 0.8 V_DSS, v_GS = 0v, t_c = 125°C）	-	-	1000	μa
我_GSS	柵極洩漏電流（V_GS =±30v,v_DS = 0V）	-	-	±100	na
v_GS（Th）	門閾值電壓（V_DS = v_GS, I_d = 2.5mA）	2	-	4	伏特

動態特徵

象徵	特徵	測試條件	最小	typ	最大限度	單元
c_ISS	輸入電容	v_GS = 0V	-	8600	10300	pf
c_OSS	輸出電容	v_DS = 25V	-	3200	4480	pf
c_RSS	反向傳遞電容	F = 1 MHz	-	1180	1770年	pf
問_g	總門電荷③	v_GS = 10V v_DD = 0.5 V_DSS I_d = 50a @ 25°C	-	300	450	NC
問_GS	登機源充電		-	95	145	NC
問_GD	門口（“ Miller”）充電		-	110	165	NC
t_{大學教師）}	轉延遲時間	v_GS = 15V v_DD = 0.5 V_DSS	-	16	32	NS
tᵣ	上升時間		-	48	96	NS
t_脫）	關閉延遲時間	I_d = i_{D [續]} @ 25°C r_g =0.6Ω	-	51	75	NS
t_f	秋季時間		-	9	18	NS

源限制二極管評級和特徵

象徵	特徵 /測試條件	最小	typ	最大限度	單元
我_s	連續源電流（身體二極管）	-	-	144	放大器
我_SM	脈衝源電流①（身體二極管）	-	-	576	放大器
v_SD	二極管向前電壓②（V_GS = 0V，我_s = -i_{D [續]}）	-	-	1.3	伏特
t_RR	反向恢復時間（I_S = -I_{D [Cont.]}, di_s/dt = 100a/μs）	-	250	-	NS
問_RR	反向恢復費用（I_S = -I_{D [Cont.]}, di_s/dt = 100a/μs）	-	2.5	-	μC

熱/包裝特性

象徵	特徵	最小	typ	最大限度	單元
R_θJC	與案件交界	-	-	0.28	°C/w
R_θJA	與環境交界處	-	-	40	°C/w
V_Isolation	RMS電壓（50–60 Hz正弦波形從終端到安裝底座持續1分鐘。	2500	-		伏特
扭矩	設備安裝螺釘的最大扭矩和電終止。	-	-	13	lb•in

APT10M11JVR電路符號

APT10M11JVR Circuit Symbol

顯示的電路符號是針對APT10M11JVR的，該符號是N通道增強模式MOSFET。在此符號中，g代表門，d用於排水，s用於源。向內指向通道的箭頭表明它是N通道類型。該符號還包括在流量和源之間的內置主體二極管，這對於MOSFET來說是典型的，並且在MOSFET關閉時允許電流向相反的方向流動。

在圓圈內，您會看到MOSFET通道結構，該結構顯示了控制排水管和源之間的電流路徑的柵極。當將電壓施加到柵極上時，它會產生一個導電路徑，從而使電流從排水源流到源。身體二極管提供保護並啟用某些應用，例如電感負載切換。

APT10M11JVR軟件包大綱

APT10M11JVR Package Outline

APT10M11JVR的包裝圖顯示了MOSFET模塊的物理尺寸和終端佈局。該設備被安裝在TO-247包裝中，具有多個安裝和端子位置，專為安全機械和電氣連接而設計。所有測量都以毫米和英寸為單位提供，以確保與國際設計標準的兼容性。

該圖顯示了四個主要端子：兩個用於源，一個用於排水，一個用於門。源終端在內部縮短，這意味著您可以使用一個或兩個用於當前輸入 - 它們共享相同的內部連接。佈局包括用於牢固安裝和電氣接觸的M4十六進制螺母，其間距和孔直徑明確定義，以便於放置在散熱器或安裝表面上。

該圖可確保您可以準確安裝並連接APT10M11JVR，從而防止安裝錯誤並確保可靠的電氣性能。

APT10M11JVR替代方案

• APT10M11JVFR

• APT10M11JVRU2

• APT10M11JVRU3

APT10M11JVR應用程序

開關模式電源（SMP）

APT10M11JVR的快速開關速度和高效率在SMPS設計中是有利的，在SMPS設計中，需要快速開關和最小的功率損失。

電機控制系統

在電動機驅動器中，該MOSFET可以有效地管理所需的高電流和電壓，從而有助於精確控制和減少能源消耗。

不間斷的電源（UPS）

該設備處理高功率水平的能力使其適合UPS系統，從而確保在中斷期間可靠的功率備份。

焊接設備

APT10M11JVR的強大設計使其可以承受需要高電流處理和耐用性的焊接應用條件。

可再生能源系統

在太陽逆變器和風力渦輪機轉換器中，該MOSFET可用於有效地轉換和管理從可再生能源產生的電源。

APT10M11JVR的好處

• 提高效率：該設備可最大程度地減少JFET效應並降低抗性，從而降低傳導損失並提高整體效率。

• 更快的開關速度：優化的門佈局可以快速切換，這對於高頻應用至關重要。

• 高功率處理： APT10M11JVR的排水到源電壓額定值為100V，連續排水電流為144a，可以管理大量功率水平，使其適合苛刻的應用。

• 強大的設計： MOSFET經過100％的雪崩測試，可確保在應力電氣條件下可靠性。

• 較低的洩漏電流：該設備表現出減少的洩漏電流，從而提高了敏感應用中的性能。

•多功能包裝： APT10M11JVR置於ISOTOP®軟件包（SOT-227-4）中，提供了有效的熱管理和易於安裝。

製造商

Microsemi Corporation成立於1959年，總部位於加利福尼亞州的Aliso Viejo，是半導體和系統解決方案的著名提供商。該公司專門為航空航天，國防，通信，數據中心和工業市場提供服務。它的產品組合包括高性能和輻射硬化的模擬混合信號集成電路，FPGA，SOC，ASIC，ASIC，電源管理產品，時機和同步設備，RF解決方案以及企業存儲和通信解決方案。

2018年5月，Microchip Technology Inc.完成了對微膜的收購，將其廣泛的產品集成到Microchip的綜合產品組合中。