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您的IRLZ44N POWER MOSFET指南
2024-11-16 2093

IRLZ44N是一種邏輯級MOSFET，封裝在適應性的TO-220AB軟件包中，提供可靠性和多功能性，增強了其在各種電子應用中的吸引力。本文深入研究了IRLZ44N，重點關注其獨特的功能，優勢及其在日常應用中的廣泛使用。我們的探索涵蓋了經驗中的方面和可行的信息，並為IRLZ44N的有效應用提供了全面的看法。

IRLZ44N的概述

這 IRLZ44N MOSFET具有極低的門閾值電壓為5V，因此大多數微控制器都可以觸發它。通過消除需要其他驅動器電路的需求，這簡化了電路設計過程。對於那些潛入電力電子設備的人，此功能提供了靈活性，使我們能夠以適應性和優雅感設計。

IRLZ44N製造商概述

Infineon Technologies是一種根源追溯到西門子半導體的實體，是微電子中創造力的信標。它們豐富的產品範圍包括邏輯級IRLZ44N等組件，該組件可以增強電子系統在不同應用中的性能。

IRLZ44N的屬性

•LANAR細胞結構範圍廣泛的安全操作區域（SOA）：該設備具有專門設計的平面細胞結構，該結構專門提供寬闊的安全操作區域，即使在高壓力條件下，也可以確保穩定且可靠的操作，從而提高整體性能和壽命。

•優化分銷合作夥伴的最廣泛可用性：該產品旨在通過廣泛的分銷合作夥伴網絡最大化可用性，以確保可以輕鬆地採購併集成到不同行業的各種應用中。

•根據JEDEC標準的產品資格：該設備完全有資格符合JEDEC（聯合電子設備工程委員會）標準，該標準因確保電子組件的質量和可靠性而在國際上認可。

•用於切換100kHz以下的應用的矽：該設備中使用的矽針對低頻應用的優化，其開關速度低於100kHz，這是需要在較低開關頻率範圍內穩定性能的應用。

•行業標準的通行電源包：該設備配備了行業標準的整孔電源包，該設備促進了在PCB（印刷電路板）上易於集成和安裝，並提供有效的散熱耗散。

•高電流評級：此組件的額定值為高電流，使其適用於在高電流條件下需要可靠性能的苛刻應用。

IRLZ44N的優勢

穩健性和耐用性

IRLZ44N MOSFET以其出色的韌性而聞名，在具有挑戰性的環境中蓬勃發展，非常適合苛刻的應用。這種特徵在惡劣的條件下導致了長時間的運營壽命。由於其可靠的性能，尤其是當設備壽命需要關注時，它通常成為我們在汽車和工業部門的首選選擇。

通過分銷渠道可訪問性

廣泛的分銷商網絡可確保IRLZ44N易於訪問，從而促進了不間斷的採購過程。製造商保持連續生產流程，珍惜可用性的便利性。在快速技術進步的行業中，快速訪問這種可靠的組件可提供獨特的競爭優勢，減輕停機時間並保持平穩的操作。

高資格標準

IRLZ44N擁有高資格證書，可確保一致的質量和可靠性。這使其成為嚴格項目規格可靠績效的首選組件。嚴格的前市場測試提高了其在可靠性方面的聲譽，使我們的工作需要值得信賴的組成部分。

出色的低頻性能

IRLZ44N以其在低頻應用中的出色性能而聞名，這是功率轉換和放大任務的功能。事實證明，這種效率和精度已被證明是非常有益的，我們注意到項目成果的顯著改善，精確度提高和最小化的能源損失，當使用IRLZ44N（例如具有專業性能特徵）的組件時。

標準引腳和高電流支撐

IRLZ44N採用標准銷銷，簡化了現有系統設計中的替換和集成過程。這種易於實施和降低的維護複雜性有助於在升級和維修期間節省時間。此外，它支持高電流流量，以滿足大量的電力傳遞需求。通過此應用，其設計簡單性增強了系統的適應性和彈性，提供了靈活性和效率。

IRLZ44N的應用

•高壓線性調節器：IRLZ44N適用於高壓線性調節器，即使輸入電壓較高，旨在提供穩定的輸出電壓的設備。這些調節器通常用於維護精確，無噪聲電壓的應用，例如在敏感的模擬電路或高保真音頻設備中。IRLZ44N強大的電壓處理能力使其非常適合這些應用。

•非共振開關轉換器（buck/boost/buck-boost拓撲）：IRLZ44N可用於非共振開關轉換器，通常用於下降（降低），加速（boost）或兩者加緊並在電源中下降（降壓）電壓。在這些拓撲結構中，IRLZ44N充當開關元件，可以通過最小的熱量產生有效的能量轉換，使其適合於工業，汽車和消費電子產品中的電源。

•共振開關轉換器（半橋或全橋拓撲）：IRLZ44N也與共振開關轉換器兼容，它們以較高的效率和較低的電磁干擾（EMI）與非諧振類型相比。在半橋或全橋配置中，IRLZ44N可以以更高的頻率切換，減少開關損耗並提高應用程序加熱，LED照明和高功率逆變器等應用的總體效率。

•在諧振和非諧振拓撲中作為高側開關或柵極驅動程序的應用：IRLZ44N可以用作非諧振拓撲的高側開關，從而控制電流通過主功率路徑的流動。此外，在像LLC（電感器電感器電容器）拓撲等諧振轉換器中，只要排水電流和VDS（排水源電壓）等級在安全的操作限制範圍內，它就可以充當柵極驅動器。這種多功能性允許IRLZ44N用於各種電源設計，從而確保在不同的負載條件下可靠的性能。

代替IRLZ44N

• IRF1010E

• IRF1010EZ

• IRF1010N

• IRF1010Z

• IRF1018E

• IRF1405

• IRF1405Z

• IRF1407

• IRF1607

• IRF2805

• IRF2807

• IRF2807Z

• IRF2907Z

• IRF3007

• IRF3205

• IRF3205Z

• IRF3305

• IRF3710Z

IRLZ44N電路概述

IRLZ44N的主要優勢超出了其高溫公差和穩健的VD和排水電流等級，是其低門電壓閾值。這種低閾值使MCU的GPIO PIN可以將IRLZ44N驅動到狀態。如轉移特性所示，從5V家族到LVCMO的邏輯水平可以提供足夠的電壓來驅動IRLZ44N，從而極少，導致州的耐藥性。

該項目展示了一種使用MOSFET為LED供電的簡單方法。雖然Arduino可以直接驅動LED，但是當單引腳的負載超過40mA或所有PIN的合併負載超過200mA時，需要MOSFET或晶體管。例如，為5V機械繼電器提供動力需要大約100mA，這超出了一個引腳可以提供的，因此需要MOSFET。要與微控制器輸出電壓一起使用，需要邏輯級MOSFET。這些MOSFET通常由零件編號中的“ L”（例如IRLZ44N或IRL540）識別。

IRLZ44N之類的邏輯級MOSFET是Arduino項目的理想選擇，可在5V以上的電壓下高電流開關。通過適當的供熱和溫度管理，來自國際整流器的IRLZ44N可以在55V時切換到47A。請務必檢查數據表是否有特定的當前限制，因為這些限制可能會在不同的IRLZ44N型號中變化。在TO-220包裝中，PIN佈局（從左到右）是門，排水和源。為了防止意外激活，應將10K下拉電阻放在門和源銷之間。如果沒有該電阻，即使在門上的輕微靜電電荷也可以打開MOSFET - 對柵極的簡單觸摸可能就足夠了。

為了使IRLZ44N開始進行導電，門閾值電壓（v_GS）必須超過。對於這個mosfet， v_GS 約為2V。但是，在這個閾值下，MOSFET僅部分打開，可能只攜帶1A。要確定它可以以各種門電壓切換的電流，請參閱MOSFET數據表中的圖表。

技術規格

Infineon的 IRLZ44NPBF 介紹了一組技術功能，每個功能都促進了依賴可靠的電氣組件的廣泛應用程序。該MOSFET的精力非常關注細節，與當代電子系統的期望保持一致，並承諾效率和耐用性。下面，我們探索其主要特徵及其更廣泛的含義。

類型	範圍
工廠交貨時間	12週
山	通過洞
安裝類型	通過洞
包裝 /案例	TO-220-3
引腳數	3
晶體管元素材料	矽
電流 - 連續排水（ID） @ 25℃	47A TC
驅動電壓（最大RDS，最小RDS打開）	4V 10V
元素數量	1
功率耗散（最大）	3.8W TA 110W TC
關閉延遲時間	26 NS
工作溫度	-55°C〜175°C TJ
包裝	管子
系列	Hexfet®
出版	1997
JESD-609代碼	E3
零件狀態	積極的
水分靈敏度水平（MSL）	1（無限）
終止數量	3
ECCN代碼	Ear99
反抗	22mohm
終端完成	磨砂錫（SN） - 帶有鎳（NI）屏障
附加功能	雪崩等級
電壓 - 額定DC	55V
當前評分	47a
鉛螺距	2.54mm
頻道數量	1
元素配置	單身的
操作模式	增強模式
功率耗散	83W
案例連接	流走
打開延遲時間	11 ns
FET類型	N通道
晶體管應用	交換
rds on（max） @ id，vgs	22mΩ @ 25a，10v
VGS（th）（Max） @ ID	2V @250μA
輸入電容（CISS）（最大） @ vds	1700pf @ 25V
門充電（QG）（Max） @ VGS	48nc @ 5V
上升時間	84ns
VGS（最大）	±16V
秋季時間（典型）	15 ns
連續排水電流（ID）	47a
閾值電壓	2V
JEDEC-95代碼	TO-220AB
源電壓（VGS）的門	16V
排幹到源故障電壓	55V
雙電源電壓	55V
恢復時間	120 ns
最大連接溫度（TJ）	175°C
名義VGS	2 v
高度	19.8mm
長度	10.5156mm
寬度	4.69mm
到達SVHC	沒有SVHC
輻射硬化	不
ROHS狀態	ROHS3符合條件
領先	領先

IRLZ44NPBF的替代選項

範圍	IRLZ44NPBF	IRFZ46NPBF	IRFZ44NPBF
製造商	Infineon技術	Infineon技術	Infineon技術
山	通過洞	通過洞	通過洞
包裝 /案例	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
連續排水電流	47 a	49 a	53 a
電流 - 連續排水（ID） @ 25℃	47a（TC）	49a（TC）	53A（TC）
閾值電壓	2 v	2.1 v	4 V
源電壓（VGS）的門	16 V	20 v	20 v
功率耗散	83 W	83 W	88 w
功率耗散 - 最大	3.8W（TA），110W（TC）	94W（TC）	107W（TC）

數據表PDF

關於我們 每次客戶滿意度。相互信任和共同利益。 ARIAT Tech已與許多製造商和代理商建立了長期穩定的合作關係。“用真實材料對待客戶並將服務作為核心”，所有質量將在沒有問題的情況下檢查並通過
功能測試。最高成本效益的產品和最好的服務是我們永恆的承諾。

常見問題 [FAQ]

1。如何使用IRLZ44N？

要使用MOSFET作為開關，柵極電壓（v_GS）必須高於源電壓。當門連接到源時（v_GS = 0），MOSFET已關閉。例如，標準MOSFET的IRFZ44N需要10V和20V之間的柵極電壓才能完全打開。

2。什麼是IRFZ44N？

IRFZ44N是一種N通道MOSFET，能夠處理49A的高排水電流，並且較低的RD（ON）值為17.5MΩ。它的閾值電壓為4V，在該電壓開始進行。這使其適用於在5V下運行的微控制器，儘管完全切換可能需要其他電路。

3。IRLZ44N和IRFZ44N MOSFET之間有什麼區別？

IRLZ44N和IRFZ44N MOSFET的門閾值電壓和預期用例有所不同。

•IRLZ44N：具有低門閾值電壓（通常為5V）的邏輯級MOSFET，可以通過5V微控制器（例如Arduino）直接打開它，而無需門驅動器電路。

•IRFZ44N：一個標準MOSFET，需要10V至20V的門電壓才能完全打開。雖然它可以由5V信號部分驅動，但這會導致排水電流有限，從而使柵極驅動器電路達到最佳性能。

4。門閾值電壓是多少？

門閾值電壓（v_GS）是MOSFET開始執行少量，指定數量的排水電流的最小閘門電壓（我_d）。通常用 v_GS = v_DS。在曲線示踪劑上，排水供應提供 v_ds，並且使用貼片線將大門短短到排水管，以確保 v_GS = v_DS 在測試期間。

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目錄

IRLZ44N引腳配置

IRLZ44N的CAD模型

IRLZ44N的概述

IRLZ44N製造商概述

IRLZ44N的屬性