FP75R12KT3指南替代方案，功能，數據表
2025-03-29 150

FP75R12KT3是1200 V，75 Infineon Technologies製造的電源模塊。它將整流器，逆變器和製動斬波器結合在一個緊湊的單元中，使其非常適合電動機驅動器，太陽能逆變器和UPS系統。憑藉低功率損耗，良好的熱量處理和易於安裝等功能，它有助於提高系統性能和可靠性。本文涵蓋了其主要特徵，用途，好處以及與其他類似產品的比較。

目錄

FP75R12KT3概述

這 FP75R12KT3 是一個高性能1200V，75A IGBT功率集成模塊（PIM），該模塊（PIM）安裝在緊湊型Econopim™3包中。它集成了三相輸入整流器，逆變器階段和製動斬波器，使其非常適合運動驅動器，UPS系統和太陽逆變器。設計具有低流量電感和高級Trenchstop™IGBT3技術，可通過銅底板提供高效率，低開關損耗和出色的熱性能。該模塊支持僅1.70 V（典型）的收集器發射器飽和電壓，可在-40°C至125°C內可靠地運行，並包括用於機載溫度監測的NTC Thermistor。憑藉ROHS合規性，可售的銷釘以易於安裝，並緊湊的設計可確保在苛刻的工業應用中穩健可靠的性能。

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FP75R12KT3功能

•集成的三相整流器：通過結合基本功率轉換組件來促進緊湊而有效的設計。

•快速溝渠IGBT3技術：確保開關損失較低和運行效率高。

•高效二極管：通過減少功率耗散來提高性能。

• 低流量電感設計：最小化電感損失，提高整體模塊效率。

• 銅底板：提供出色的導熱率以進行有效的熱量耗散。

•可賣的別針：允許組裝過程中安全可靠的電連接。

•集成的NTC熱敏電阻：啟用準確的溫度監測以增強系統保護。

• ROHS合規性：通過限制危險物質來符合環境標準。

FP75R12KT3電路圖

FP75R12KT3 IGBT模塊的此電路圖說明了標準 a的配置 3相逆變器 系統，還包括一個 整流器和 剎車斬波器 電路，全部集成在單個緊湊型模塊中。

在 這 右側，逆變器階段由六個IGBT與 自由輪二極管，配置為3相橋。每個階段輸出-U，V， 和W - 是由兩個IGBT製成的半橋。 U階段使用連接到的IGBT 終端27 （高端門）， 26 （收藏家），和 13/14 （發射器） 上開關，終端 7/8（門），24（收集器）， 和 20 （發射極）是 對於較低的開關。第五階段通過終端連接 25，， 9/10、24、19和18。階段W通過終端完成橋樑 23，11/12， 22，， 並共享發射器 終端18。

FP75R12KT3應用程序

• 電動機驅動器：用於控制和驅動各種工業機械的電動機，從而提高性能和能源效率。

• 可再生能源系統：用於太陽能逆變器和其他可再生能源應用，可有效地轉換和管理可再生能源的電源。

• 工業自動化：集成到自動化系統中，以提供對電力電子設備的精確控制，從而提高了可靠性和生產率。

• 不間斷的電源（UPS）：在UPS系統中使用，以確保持續的動力傳遞並防止功率干擾。

FP75R12KT3最大額定值

參數名稱和符號	價值和單位
收集器發射器電壓（vCES）	1200 v
連續DC收集器電流在TC = 80°C（iCNOM）	75 a
連續DC收集器電流在TC = 25°C（ic）	105 a
重複的峰值收集器電流（iCRM）	150 a
TC = 25°C時的總功率耗散（Ptot）	355 w
柵極發射極峰電壓（VGes）	+/- 20 v

參數名稱和符號	價值和單位
收集器發射器電壓（vCES）	1200 V
連續的直流收集器電流（iCNOM）	75 a
連續的直流收集器電流（ic	100a
重複的峰值收集器電流（iCRM）	150 a
總功率耗散（Ptot）	355 w
柵極發射極峰電壓（VGes）	+/- 20 v

二極管，整流器

參數名稱和符號	價值和單位
重複的峰值反向電壓（VRRM）	1600 v
每芯片最大RMS向前電流（iFRMSM）	80 a
整流器輸出處的最大RMS電流 （我RMSM）	115 a
t的湧向向前電流VJ = 25°C（iFSM）	500 a
t的湧向向前電流VJ = 150°C（iFSM）	400 a
tVJ = 25°C（I²T）	1250a²s
tVJ = 150°C（I²T）	800a²s

參數名稱和符號	價值和單位
收集器發射器電壓（vCES）	1200 v
連續的直流收集器電流（iCNOM）	40 a
連續的直流收集器電流（ic）	55 a
重複的峰值收集器電流（iCRM）	80 a
總功率耗散（Ptot）	210 w
柵極發射極峰電壓（VGes）	+/- 20 v

參數名稱和符號	價值和單位
重複的峰值反向電壓（VRRM）	1200 v
連續的直流向前電流（if）	25 a
重複的峰向前電流（iFRM）	50 a
i²t-value（i²t）	170a²s

FP75R12KT3優勢和缺點

優勢

• 集成設計：結合了三相輸入整流器，逆變器階段和製動斬波器，簡化系統體系結構並減少組件計數。

• 低流量電感：最小化電感損失，提高整體效率和性能。

• 高可靠性和功率密度：在緊湊型應用程序中提供強大的性能，使其適合於空間約束環境。

• 銅底板：確保優化的熱量耗散，從而有效地熱管理。

• 可賣的別針：促進組裝過程中安全可靠的電連接。

• 開關損失低：提高高頻操作期間的效率，減少能源消耗。

• ROHS合規性：通過限制有害物質，與全球監管要求保持一致，符合環境標準。

缺點

• 較高的狀態電壓：與其他一些半導體設備相比，諸如FP75R12KT3之類的IGBT可能顯示出更高的狀態電壓下降，這可能會影響某些應用中的效率。

• 切換速度限制：同時，與MOSFET相比，IGBT的開關速度通常較慢，這可能會影響高頻應用中的性能。

• 單向電流流 ：IGBT在一個方向上進行電流，需要為需要雙向電流流動的應用提供額外的電路。

FP75R12KT3替代產品

FP75R12KT3軟件包概述

電氣 端子清楚地間隔並在頂部邊緣上標記，並帶有銷釘螺距 大約 5毫米至6毫米，支持輕鬆整合到 印刷電路板或母線連接。 DC的功率終端 安排鏈接，交流輸出和柵極連接以簡化佈線和 降低寄生電感。

FP75R12KT3製造商

FP75R12KT3由 Infineon技術，一家領先的全球半導體公司，專門從事電力系統和物聯網解決方案。 Infineon提供了全面的半導體產品組合，包括微控制器，傳感器和功率半導體，以及汽車，工業和消費電子等行業。 FP75R12KT3體現了Infineon致力於為工業應用提供高質量，高效且可靠的組件。

FP75R12KT3常見問題和解決方案

• 過熱

使用適當的散熱器，氣流和熱接口材料，並使用內置的NTC熱敏電阻監測溫度，以防止過熱。

• 門驅動器故障

確保柵極發射極電壓保持在±20V之內，並使用兼容的柵極驅動器具有適當的電阻器來防止門驅動器故障。

• 短路損壞

用快速效力的電流傳感器和去飽和檢測電路保護模塊，以減輕過電流和短路風險。

• 連接故障

通過使用安全的PCB安裝和高質量的焊接技術來承受熱力和機械應力，避免使用PIN連接問題。

• 過多的開關損失

通過在建議的頻率範圍內操作並優化Snubber電路以限製過沖和EMI來減少開關損失。

比較：FP75R12KT3與FP75R12KT4BOSA1

這 FP75R12KT3 和 FP75R12KT4BOSA1 是 1200 V，75 A 來自Infineon Technologies的電源集成模塊（PIM），旨在為諸如電機驅動器，UPS系統和太陽逆變器等苛刻的工業應用提供。他們共享一系列功能，包括 低流量電感，，，， 高可靠性，銅底板 有效的熱耗散，可售的引腳，低開關損耗和ROHS合規性。兩者之間的核心區別在於他們使用的IGBT技術。 FP75R12KT3是由Infineon的Trenchstop™IGBT3技術構建的，該技術可提供低轉換損失和強大的性能。相比之下，FP75R12KT4BOSA1利用了較新的Trenchstop™IGBT4技術，提供了增強的開關性能和整體效率。結果，儘管兩個模塊都非常適合相似的環境，但FP75R12KT4BOSA1提供了改進的電氣特性，並且可以更好地優化，以要求更高的開關速度和較低的傳導損失。

結論

FP75R12KT3是一個強大，可靠的功率模塊，非常適合許多工業用途。它易於使用，有效地工作並節省空間。雖然有一些限制，例如較慢的切換，但表現仍然很好。如果您正在為電力系統尋找可信賴的解決方案，強大的激增保護，良好的熱性能以及值得信賴的 在其背後的品牌，MFP75R12KT3對於那些需要一個的人來說是一個很好的選擇 高性能模塊 - 尤其是長期批量使用 專案.

數據表PDF

FP75R12KT3數據表：