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2025-03-31 206

MG75Q1BS11是由東芝製造的高質量的IGBT模塊，旨在控制電動機和處理高功率。它可以快速起作用，節省能量，並持續下去。本文解釋了其功能，其工作方式，使用的位置以及為什麼它是工業系統的絕佳選擇。

目錄

MG75Q1BS11概述

這 MG75Q1BS11 是一種高性能的N通道IGBT（絕緣柵極雙極晶體管），旨在要求電機控制和高功率開關應用。它結合了IGBT技術的效率與電源MOSFET的快速開關功能，使其非常適合在工業驅動器，逆變器和自動化系統中使用。該模塊提供出色的功率處理，有效的能源轉換和改善的系統可靠性。隨著快速開關速度和低功率損失，它有助於優化能源密集型環境中的性能。 MG75Q1BS11因其在工業運營中的耐用性和有效性而廣受信任，在工業運營中，一致，有效的控制至關重要。尋求用於大規模工業系統的可靠解決方案的買家可以通過全球供應商的驗證設計和可用性受益。

對於OEM，維修服務和分銷商而言，現在是放置批量訂單並為您的電力電子需求提供可靠的組件的理想時機。

MG75Q1BS11等效電路

MG75Q1B111的此等效電路圖代表絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）模塊，該模塊結合了 兩個mosfets 和 雙極晶體管。在這個電路中，g（b） 代表 門 （或基地），，，， c 是 集電極， 和 e 是 發射極。使用的符號清楚地表明，該設備作為IGBT運行，該IGBT通過柵極終端控制。當柵極和發射極之間應用電壓時，它可以在收集器和發射極之間流動。 門輸入只需要少量電壓即可觸發傳導，使IGBT節能效率適用於高速開關應用，例如逆變器，電動機驅動器和電源。該圖可幫助工程師可視化MG75Q1BS11的基本切換功能，以及它如何集成到更廣泛的電源電子系統中。

MG75Q1BS11功能

• 高輸入阻抗：促進簡單的驅動要求，從而有效地與控制電路接口。

• 高速開關：確保快速響應時間，秋季時間（TF）為1.0µs（最大），增強了整體系統性能。

• 低飽和電壓：減少傳導損失，提高電力轉換應用的效率。

• 強大的設計：設計以承受高壓和當前壓力，從而確保苛刻的環境可靠性。

MG75Q1BS11應用程序

• 工業電動機驅動器：利用 在可變頻率驅動器中（V_FDS）和伺服驅動器以控制速度和 工業機械電動機的扭矩。

• HVAC系統：用在 加熱，通風和空氣中的可變速度壓縮機和風扇 適用於節能操作的調節系統。

MG75Q1BS11大綱圖

MG75Q1B111的大綱圖為IGBT模塊的物理包裝提供了詳細的維度規格。該模塊的矩形足跡，寬度為53毫米，A 長度為33毫米，都與 公差±0.5毫米。總計 高度 大約是 32毫米，確保適合空間約束應用的緊湊型外形。

安裝通過三個 M4螺絲孔和其他 對齊孔（Ø2.2毫米） 包括為了確保安全安裝。終端間距和高度是精確定義的 - 至關重要的是正確的電連接和散熱。連接器端子上升到 高度29毫米，具有對齊和組裝的特定距離。

MG75Q1BS11最大評分

範圍 名稱（符號）	價值和 單元
收集器發射器電壓（vCES）	1200 v
柵極發射機電壓（vGes）	±20 v
連續收集器電流（ic）	75 a
脈衝收集器電流，1ms（iCP）	150 a
t的收集器功率消散c = 25°C（pc）	300 w
連接溫度（tj）	150°C
儲存溫度範圍（TSTG）	-40至+125°C
隔離電壓（v隔離）（AC， 1分鐘）	2500 v
螺絲扭矩（端子 /安裝）	2 /3 N·M

MG75Q1BS11電氣特徵

範圍 名稱（符號）	價值和 單元
門洩漏電流（iGes）	±500 na
收集器截止電流（iCES）	1.0 ma
收集器發射器電壓（vCES）	1200 v
柵極發射極截止電壓（VGE（OFF））	3.0 - 6.0 V
收集器發射機飽和電壓（V塞（星期六））	2.3 - 2.7 V
輸入電容（c即）	10500 pf
上升時間（tr）	0.3 - 0.6 µs
轉交時間（t在）	0.4 - 0.8 µs
秋季時間（tf）	0.6 - 1.0 µs
關閉時間（t離開）	1.2 - 1.6 µs
熱電阻，與情況的連接（rTH（J-C））	0.41°C/w

MG75Q1BS11好處

• 高效率：由於其低飽和電壓和快速開關功能，該模塊可最大程度地減少操作過程中的能量損失，從而提高整體效率。

• 減少了驅動器要求：使用高輸入阻抗，它簡化了柵極驅動電路的設計，從而更容易地集成到系統中。

• 改進的系統性能：它的快速響應時間增強了電動機控制和開關應用的準確性和性能。

• 緊湊而可靠：強大的設計即使在高壓和當前的壓力下也可以確保長期的可靠性，從而減少了維護需求。

• 具有成本效益的解決方案：提供良好的性能和價格平衡，使其成為OEM和工業用戶的經濟選擇。

• 用途：適用於多種應用，例如逆變器，電源轉換器和電動機驅動器，可提高其適應性。

MG75Q1BS11常見問題和解決方案

• 過熱：通過使用有效的散熱器，熱墊和主動冷卻系統來管理多餘的熱量，以防止熱損傷。

• 門驅動器故障：通過使用符合IGBT控制要求的正確額定和孤立的門驅動器來確保穩定的操作。

• 短路或過電流條件：保護模塊免受快速效果，柔軟啟動電路或限制電流組件的突然電流尖峰。

• 寄生振盪：通過優化PCB佈局並添加Snubber電路或鐵氧體珠來最大程度地減少開關噪聲和不穩定性。

• 焊接接頭或連接器故障：避免使用工業級焊接並固定模塊免受振動或壓力的固定，避免機械和熱疲勞。

MG75Q1BS11替代產品

比較：MG75Q1BS11 vs MG75Q2YL1

這 MG75Q1BS11 和 mg75q2yl1 都是為苛刻的工業應用而設計的高功率IGBT（絕緣門兩極晶體管）模塊，尤其是在電動機驅動器和電動開關係統中。這 MG75Q1BS11 ，由東芝製造的，以其可靠的性能而建立 快速開關速度， 和 有效的熱管理- 將其作為自動化和逆變器系統的流行選擇。另一方面，MG75Q2YL1也被歸類為 動力晶體管模塊，儘管其製造商的詳細信息不太常見於可用來源。這兩個模塊均可從全球供應商那裡獲得，並且適用於類似的高功率切換環境。但是，MG75Q1BS11受益於更廣泛的文檔和值得信賴的品牌支持，這可能會增加對長期支持和整合的信心。為了基於電氣特性（例如電壓評級，當前容量和熱阻力）的精確比較，用戶應諮詢各自的數據表。這將有助於選擇根據特定設計要求量身定制的正確模塊。

MG75Q1BS11製造商

MG75Q1BS11由東芝公司，成立於1875年，總部位於日本東京，是多元化電子和電氣設備的全球領導者。該公司跨各個部門運營，包括能源系統，社會基礎設施，電子設備和數字解決方案。東芝以其創新和質量而聞名，提供各種產品，例如半導體，存儲設備和工業系統。 MG75Q1BS11是東芝的高性能隔熱門雙極晶體管（IGBT）模塊之一，這反映了公司致力於為高功率應用提供可靠的組件的承諾。

結論

MG75Q1BS11是用於電源控制和電機驅動系統的強大，可靠且有效的IGBT模塊。由東芝（Toshiba）製造，易於使用，在艱難的環境中效果很好，並且受到許多行業的信任。如果您需要一個可靠的功率模塊，那麼現在是批量訂購的好時機。

數據表PDF

MG75Q1BS11數據表：